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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
引言在當今工業自動化與智能制造快速發展的時代,進口智能模塊作為高端電子元件的代表,正日益成為推動產業升級的關鍵力量。這些來自德國、日本等工業強國的先進技術產品,以其卓越的性能和可靠性,在電力電子、自動化控制等領域發揮著不可替代的作用。作為一家專業從事進口智能模塊銷售的企業,我們致力于為客戶提供最優質的解決方案,助力中國電力電子技術的進步與發展。進口智能模塊的主要種類 功率半導體模塊功率半導體模塊
鎮江英飛凌IGBT的作用 引言 在現代電力電子技術領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為核心功率半導體器件,廣泛應用于工業控制、新能源發電、電動汽車、智能電網等領域。英飛凌作為全球領先的功率半導體制造商,其IGBT產品以高性能、高可靠性著稱,為各類電力電子系統提供高效、穩定的能源轉換解決方案。鎮江作為重要的工業基地,英飛凌IGBT的應用不僅提升了本地企業的生產效率,也為新能源和智能制造的發展提供
在現代電力電子技術領域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心功率半導體器件,憑借其獨特的技術優勢,已成為工業控制、新能源發電、電動汽車等眾多領域不可或缺的關鍵組件。作為全球領先的功率半導體供應商,英飛凌的IGBT模塊產品線豐富多樣,針對不同應用場景和性能需求,形成了明顯的差異化特征。本文將從技術特性、產品系列和應用場景三個維度,系統解析英飛凌IGBT模塊的主要區別。從技術架構來看,英飛凌IGBT
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
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微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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網 址: qiwodz.cn.b2b168.com
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